聚合物光波導(dǎo)的反應(yīng)離子刻蝕工藝研究

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內(nèi)容簡介

　　實(shí)驗(yàn)研究了表面粗糙度、側(cè)壁垂直度與各刻蝕參量之間的關(guān)系，通過對(duì)刻蝕效果的分析，發(fā)現(xiàn) 在低功率、高CHF3含量、低壓強(qiáng)的情況下能獲得最小的表面粗糙度；在高功率、50％CHF3含量、低 壓強(qiáng)的情況下能獲得較陡直的波導(dǎo)側(cè)壁。利用優(yōu)化的刻蝕條件，對(duì)PMMA進(jìn)行刻蝕，得到了均方 根粗糙度小、側(cè)壁陡直的波導(dǎo)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該刻蝕條件對(duì)其他聚合物光波導(dǎo)材料的刻蝕也具有一 定的指導(dǎo)意義。

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